收藏本站
New Product
Si3464DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
9
Package Limited
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Current Derating*
5
4
3
2
1
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Power Derating, Junction-to-Foot
T A - Ambient Temperature (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max.) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65712
S10-0218-Rev. A, 25-Jan-10
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3467DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
SI3473DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP
SI3483DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3495DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3529DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3812DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3853DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
SI3867DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
SI3465DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3465DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3465DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3467DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3467DV_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3467DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 2.0W 54 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3467DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3469DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET